Organometallic precursors for thin-film deposition of metal oxide or silicon-containing metal oxide, and deposition process of the thin films therefrom

摘要

본 발명은 유기금속 화학 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)에 의하여 우수한 박막 특성, 두께, 단차피복성을 확보할 수 있으며, 휘발성이 높고 실온에서 액체 상태로 존재하고 열적으로 안정한 실리콘이 함유된 신규한 단일 유기금속 전구체 화합물을 제공한다. 또한 상기한 유기 금속 전구체 화합물을 이용하여 유기 금속 화학 증착법 및 원자층 증착법을 통해 금속 산화물과 금속 규소 산화물 박막을 형성하는 박막 증착 방법을 제공한다.