发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND BIT LINE EQUALIZING CIRCUIT
摘要 A semiconductor memory apparatus comprise s bit line sense amplifier unit, and a pair of precharge elements coupled in series between a first bit line and a second bit line and having an asymmetrical contact resistance ratio.
申请公布号 US2012327731(A1) 申请公布日期 2012.12.27
申请号 US201113341369 申请日期 2011.12.30
申请人 JO MI HYEON;HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 JO MI HYEON
分类号 G11C7/12 主分类号 G11C7/12
代理机构 代理人
主权项
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