| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund angegeben, bei dem eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden und strahlungsdetektierenden Halbleiterchips (1a, 1b) auf einem Trägersubstrat (2) aufgebracht werden. Die Halbleiterchips (1a, 1b) werden mit jeweils einer Vergussmasse (3a, 3b) vergossen. Anschließend werden die Vergussmassen (3a, 3b) mittels Sägen zwischen benachbarten Halbleiterchips durchtrennt. Anschließend wird ein gemeinsamer Rahmen (5) auf das Trägersubstrat (2) aufgebracht, der eine Mehrzahl von nach oben offenen Kammern (6a, 6b) aufweist, wobei der Rahmen (5) so angeordnet wird, dass jeweils ein Halbleiterchip (1a, 1b) in jeweils einer Kammer (6a, 6b) des Rahmens (5) angeordnet wird. Weiter wird ein derart hergestelltes Halbleiterbauelement und dessen Verwendung angegeben.</p> |
