发明名称 THERMAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON NITRIDE
摘要 <p>처리 영역, 기판 지지부, 가스 전달 시스템, 가스 혼합 영역, 면판에 고정되는 어댑터 링을 희망 온도로 가열하도록 배치되는 가열 소자, 및 온도 제어된 배기 시스템을 포함하는 장치가 개시된다. 또한, 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 증발시키는 단계, 처리 챔버로 비스(테시어리-부틸아미노)실란과 암모니아를 유동시키는 단계, 어댑터 링과 둘 이상의 차단 플레이트에 의해 형성된 추가의 혼합 영역을 갖는 두 가지 반응물질을 결합시키는 단계, 어댑터 링을 가열하는 단계, 및 가스 분배 플레이트를 통하여 처리 영역으로 비스(테시어리-부틸아미노)실란을 유동시키는 단계를 포함하는 방법 및 장치가 개시된다.</p>
申请公布号 KR101216202(B1) 申请公布日期 2012.12.27
申请号 KR20117030272 申请日期 2004.08.25
申请人 发明人
分类号 C23C16/00;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/205 主分类号 C23C16/00
代理机构 代理人
主权项
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