Verfahren zur Erzeugung einer feinen Struktur in einem Halbleitersubstrat und Resistzusammensetzung hierfür

摘要

Verfahren zur Erzeugung einer feinen Struktur in einem Halbleitersubstrat, gekennzeichnet durch die Schrittfolge: (a) Beschichten einer zu ätzenden Targetschicht auf einem Halbleitersubstrat mit einer Resistzusammensetzung, wobei die Resistzusammensetzung wenigstens eine Verbindung, die in der Lage ist, durch einen Photolithographieprozess eine Photoresiststruktur zu erzeugen, sowie ein Vernetzungsmittel beinhaltet, das in der Lage ist, eine partielle Vernetzungsreaktion in der Resistzusammensetzung bei einer Temperatur zu bewirken, die gleich oder höher als die Glasübergangstemperatur oder die Erweichungstemperatur der wenigstens einen Verbindung ist, wobei der Beschichtungsschritt in der Bildung einer Resistverbindungsschicht resultiert, welche die Resistzusammensetzung beinhaltet; (b) Durchführen eines Lithographieprozesses mit der Resistverbindungsschicht, um eine Photoresiststruktur mit wenigstens einer Öffnung mit einer ersten Breite zu bilden, wobei die Targetschicht durch die erste Breite freigelegt wird; und (c) Erwärmen der Resistverbindungsschicht mit der darin ausgebildeten Photoresiststruktur auf eine Temperatur, die gleich oder höher als die Glasübergangstemperatur oder die Erweichungstemperatur der wenigstens einen Verbindung...