发明名称 METHOD OF PRODUCING TEMPLATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20120139855(A) 申请公布日期 2012.12.27
申请号 KR20127030513 申请日期 2010.06.07
申请人 SOKO KAGAKU CO., LTD. 发明人 KIM, MYUNG HEE
分类号 H01L21/20;H01L21/205;H01L33/32 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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