一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺

摘要

本发明公开了一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺，包括材质为P型晶体硅的基片，在基片背面依次沉积有非晶硅本征层、N型微晶硅层，基片的正面依次设有第一本征层、P型微晶硅层、非晶二氧化硅层、N型非晶硅层、第二本征层以及P型非晶硅层，N型微晶硅层和P型非晶硅层的外表面上分别设有透明导电膜，在所述透明导电膜上分别设有银浆层。本发明采用非晶硅薄膜和晶体硅电池的内部串联，两者开压相加，进一步地提高了该结构电池的开路电压。P型晶体硅原料易得，有利于降低生产成本；光线到达非晶二氧化硅层界面时，可以反射回一部分光，重新被本征层吸收，从而可以减少本征层的厚度，降低光致衰退效应，提高电池的转化效率。

主权项

一种非晶硅薄膜‑P型晶体硅叠层太阳电池，包括材质为P型晶体硅的基片（1），其特征是：所述基片（1）的背面依次设有非晶硅本征层（2）、N型微晶硅层（3），基片（1）的正面依次设有第一本征层（4）、P型微晶硅层（5）、非晶二氧化硅层（6）、N型非晶硅层（7）、第二本征层（8）以及P型非晶硅层（9），N型微晶硅层（3）和P型非晶硅层（9）的外表面上分别设有透明导电膜（10），在所述透明导电膜（10）上分别设有银浆层（11）。