| 发明名称 | 一种超薄高效单晶硅太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超薄高效单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%～11%。本发明提供的超薄高效单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102842626A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110173376.9 | 申请日期 | 2011.06.26 |
| 申请人 | 江苏顺大半导体发展有限公司 | 发明人 | 倪云达;葛正芳;胡宏珊 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 徐激波 |
| 主权项 | 一种超薄高效单晶硅太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池包括P型硅片（1），在P型硅片（1）的正面设有作为负极的NP结（2），在NP结（2）的正面设有氧化硅减反射膜（3），正极金属电极（4）穿过氧化硅减反射膜（3）与NP结（2）形成欧姆接触；在P型硅片（1）的反面设置P+层（5），在P+层（5）的反面设置铝背场（6），在铝背场（6）中设有背电极（7）；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%～11%。 | ||
| 地址 | 225653 江苏省扬州市高邮市天山镇工业园区 | ||