| 发明名称 | 一种阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置，涉及低温多晶硅高级超维场转换显示技术领域。该阵列基板包括：栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层，第二电极设置于所述栅电极层。本实用新型的阵列基板及显示装置公共电极层与多晶硅层同层，且储存电容的一个电极直接用与公共电极同层且同材料的金属电极，在达到相同的存储电容下可以减小存储电容的面积，从而提高开口率，显示品质得以提高。 | ||
| 申请公布号 | CN202631914U | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201220275089.9 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 杨玉清;朴承翊;李炳天 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括：栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容，其特征在于，所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层，第二电极设置于所述栅电极层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||