引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法，在常规氮化镓基发光二极管芯片结构的基础上，通过扩散键合和衬底去除，引入一表面粗化的氮极性面氮化镓外延层，解决了现有化学湿法外延表面粗化技术存在的一系列问题和局限性，提升了发光二极管的取光效率，并且保持芯片原有的电学性能不变，得到与常规氮化镓基发光二极管相当的制造成品率。

主权项

引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管，其特征在于：一永久衬底；一缓冲层形成于永久衬底之上；一n型氮化镓基外延层形成于缓冲层之上；一有源层形成于n型氮化镓基外延层部分区域之上；一p型氮化镓基外延层形成于有源层之上；一透明导电层形成于p型氮化镓基外延层之上，其材料为氧化铟锡；一键合外延层形成于透明导电层的部分区域之上，其材料为氮化铟镓，键合外延层氮化铟镓的带隙大于有源层的带隙；一粗化外延层形成于键合外延层之上，其材料为氮化镓且表面呈氮极性，粗化外延层的表面形貌呈现六角锥体分布；一n电极形成于n型氮化镓基外延层的另一部分区域之上；一p电极形成于透明导电层的另一部分区域之上。