| 发明名称 | 自组装侧壁间隙壁 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构，其包括直接抵接至少一个图案化材料层的形貌边缘的间隙壁。间隙壁是自组装嵌段共聚物的不可移除的聚合嵌段成分。还提供一种利用自组装嵌段共聚物技术来形成包括本发明的间隙壁的半导体结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101952947B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN200880110864.1 | 申请日期 | 2008.10.01 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布鲁斯·多丽丝;卡尔·J·拉登斯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：图案化区域，包括至少一个材料层并且具有至少一个形貌边缘；和直接抵接所述形貌边缘的间隙壁，所述间隙壁包括自组装嵌段共聚物的聚合嵌段成分。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||