发明名称 | 结隔离通道 | ||
摘要 | 本发明提供一种在硅基板中形成结隔离、导电通道的方法,以及将电信号从硅晶片的一侧传送到另一侧的导电设备。通过用不同于硅基板材料的掺杂物扩散通道,导电通道与硅基板的主体结隔离。在硅基板以及连接到第二硅基板的硅晶片中可以形成几个结隔离通道,该第二硅基板由要求电连接的装置组成。形成结隔离、导电通道的这一工艺比形成金属通道的方法简单,尤其是对于耐电阻和电容的电气装置。 | ||
申请公布号 | CN101171674B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
申请号 | CN200680015063.8 | 申请日期 | 2006.02.27 |
申请人 | 梅吉特(圣胡安卡皮斯特拉诺)股份有限公司 | 发明人 | 莱斯利·B·威尔纳 |
分类号 | H01L21/4763(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/4763(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 一种在硅基板中形成结隔离、导电互连的方法,包括:提供具有第一和第二平坦表面的硅基板;在各个表面上生长氧化物层;通过两个表面上的氧化物层形成开口,用于要用作接电端的区域,并且掺杂所述区域;通过该基板的该第一表面蚀刻孔至小于该基板厚度的深度,以形成盲端的通道;将所述通道扩散有不同于该基板材料的掺杂物,从而该通道与该硅基板的主体结隔离;在相对于该通道的该第二表面上的该氧化物中打开一个区域,并且用与该通道中所扩散的相同的掺杂物扩散该区域至该通道底部;以及在该基板的两个表面上沉积用于该接电端的金属,并且在每个表面中光构图接电端。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |