发明名称 CMOS图像传感器及其工作方法
摘要 本发明提供一种CMOS图像传感器及其工作方法,所述图像传感器包括衬底以及在所述衬底上形成的光学传感区、浮动扩散区、转移晶体管、复位晶体管以及泄放晶体管,该图像传感器还具有一控制模块。此外,所述图像传感器的工作方法为所述控制模块通过比较参考电位Vref和浮动扩散区的电压值VFD,来判定所述浮动扩散区是否饱和,并根据饱和程度选择性地输出不同的电压值作为所述泄放晶体管的栅压,以控制该泄放晶体管的开关状态和打开程度,从而将所述光学传感区过多的光生载流子泄放掉,提高了所述图像传感器的动态范围。
申请公布号 CN102843524A 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN201210362794.7 申请日期 2012.09.25
申请人 上海中科高等研究院 发明人 苗田乐;方娜;田犁;汪辉;陈杰
分类号 H04N5/351(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H04N5/351(2011.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种CMOS图像传感器,至少包括一衬底,形成于所述衬底上的光学传感区、浮动扩散区、连接于所述光学传感区与浮动扩散区之间的转移晶体管、以及连接所述浮动扩散区的复位晶体管,其特征在于,所述图像传感器还包括:控制模块,具有第一输入端、第二输入端以及输出端;所述第一输入端连接一参考电位Vref;所述第二输入端连接所述浮动扩散区,该第二输入端的电位即为所述浮动扩散区的电位VFD;泄放晶体管,其栅极与所述控制模块的输出端相连接,其源极连接所述光学传感区,其漏极连接所述衬底;当浮动扩散区的电位VFD小于参考电位Vref时,所述控制模块输出一电压VG1,使所述泄放晶体管导通或部分导通;当浮动扩散区的电位VFD大于或等于参考电位Vref时,所述控制模块无输出信号或输出一电压VG2,使所述泄放晶体管截止。
地址 201210 上海市浦东新区海科路99号