| 发明名称 | 具有PN结和肖特基结的多路太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有PN结和肖特基结的多路太阳能电池及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池包括：PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层；第一电极，其与PN半导体层的第一表面欧姆连接；肖特基结层，其与PN半导体层的第二表面肖特基连接，所述PN半导体层的第二表面面对PN半导体层的第一表面；以及，第二电极，其被形成接触所述肖特基结层。 | ||
| 申请公布号 | CN102844881A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201180016255.1 | 申请日期 | 2011.02.15 |
| 申请人 | 韩国机械研究院 | 发明人 | 金俊东;韩昌洙 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 周靖;郑霞 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，包括：PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层；第一电极，其与所述PN半导体层的第一表面欧姆连接；肖特基结层，其与所述PN半导体层的第二表面肖特基连接，所述PN半导体层的第二表面面向所述PN半导体层的第一表面；第二电极，其被形成接触所述肖特基结层；以及重新结合防止层，其由绝缘材料形成，并且排列在所述肖特基结层和所述PN半导体层之间。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||