双面外露的半导体器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种双面外露的半导体器件及其制作方法，在导热但不导电的第二引线框架上，固定连接导电的第一引线框架；将芯片倒装，使其顶部的栅极、源极与其下方第一引线框架的若干引脚对应形成电性连接；将倒装的芯片与第一、第二引线框架模压塑封，使第二引线框架的散热片，及所述芯片底部的漏极，分别暴露在该半导体器件正反两面的塑封体以外。因而，在不增加半导体器件尺寸的前提下，通过暴露所述散热片及芯片漏极能够有效改善散热性能。

主权项

一种双面外露的半导体器件，其特征在于，该器件包含在制作时由下至上依次连接的以下部件：第二引线框架(20)，其由导热但不导电的材料制成，并设置有散热片(21)；第一引线框架(10)，其由导电材料制成，并设置有相互分隔的若干引脚；倒装的半导体芯片(30)，其设置有若干顶部电极和若干底部电极；所述芯片(30)的顶部电极向下，并对应与所述第一引线框架(10)的若干引脚电性连接；该器件中还包含，塑封体(40)，其覆盖所述倒装的芯片(30)，并将该芯片(30)与第一、第二引线框架模压塑封；所述第二引线框架(20)的散热片(21)，及所述芯片(30)的底部电极，分别暴露在该器件正反两面的所述塑封体(40)以外。