| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，旨在改善“∑”形嵌入式源区/漏区的性能。在Si衬底中通过干法蚀刻形成“U”形凹槽之后，在“U”形凹槽底部外延生长SiGe层。通过使用对Si的蚀刻速度大于对SiGe的蚀刻速度的蚀刻剂，从“U”形凹槽的侧壁，对Si衬底进行具有晶向选择性的湿法蚀刻，形成“∑”形凹槽。由于SiGe层的存在，“U”形凹槽底部的Si被保护而不被蚀刻，从而避免了在进行具有晶向选择性的湿法蚀刻时形成尖的底部。 | ||
| 申请公布号 | CN102842504A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110164686.4 | 申请日期 | 2011.06.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 刘焕新;涂火金 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在Si衬底中形成“U”形凹槽；通过外延生长在所述“U”形凹槽的底部形成SiGe层；使用对Si的蚀刻速度大于对SiGe的蚀刻速度的蚀刻剂，从所述“U”形凹槽的侧壁，对所述Si衬底进行具有晶向选择性的湿法蚀刻，从而形成“∑”形凹槽。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||