| 发明名称 | 晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种晶体管。该晶体管（100）包括：半导体衬底（102）；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质（104）；形成在所述栅极电介质上的栅极（106）；位于所述栅极电介质下方的沟道区（112）；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区（108）和漏区（110），其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错（101），该组位错包含至少两个位错。 | ||
| 申请公布号 | CN202633241U | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201190000072.6 | 申请日期 | 2011.02.21 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 分类号 | H01L21/425(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/425(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马丽娜;卢江 |
| 主权项 | 晶体管，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述栅极电介质下方的沟道区；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错，该组位错包含至少两个位错；其中所述位错对位于源区和漏区之间的沟道区施加拉应力，使得所述沟道区的电子迁移率增加。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||