发明名称 | 一种深硅刻蚀方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种深硅刻蚀方法,首先刻蚀未被光阻层覆盖的硅片表面,以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁,还包括以下步骤:沉积步骤:进行各向同性沉积,以在刻蚀面、侧壁和所述光阻层的表面覆盖阻挡层;第一刻蚀步骤:进行各向异性刻蚀,以去除所述刻蚀面上覆盖的阻挡层而使所述刻蚀面暴露,而所述光阻层被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀;第二刻蚀步骤:进行各向同性刻蚀,以刻蚀所述暴露的刻蚀面,所述侧壁被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀,而所述光阻层在该各向同性刻蚀中不受损伤;循环重复所述沉积步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤直至达到预定的刻蚀深度。所述方法不需要使用低频脉冲电源等复杂的设备,有利于设备的维护和降低设备成本。 | ||
申请公布号 | CN101962773B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
申请号 | CN200910089819.9 | 申请日期 | 2009.07.24 |
申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 周洋 |
分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
主权项 | 一种深硅刻蚀方法,首先刻蚀未被光阻层覆盖的硅片表面,以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁,其特征在于,还包括以下步骤:沉积步骤:进行各向同性沉积,以在刻蚀面、侧壁和所述光阻层的表面覆盖阻挡层;第一刻蚀步骤:进行各向异性等离子体刻蚀,以去除所述刻蚀面上覆盖的阻挡层而使所述刻蚀面暴露,而所述光阻层被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀;第二刻蚀步骤:进行各向同性等离子体刻蚀,以刻蚀所述暴露的刻蚀面,所述侧壁被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀,而所述光阻层在该各向同性刻蚀中不受损伤;循环重复所述沉积步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤直至达到预定的刻蚀深度;去除所述侧壁上面的光阻层。 | ||
地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号 |