发明名称 半导体存储元件及其操作方法以及半导体存储阵列
摘要 本发明提供一种半导体存储元件,此半导体存储元件是由一个或多个位线、一个或多个字线以及一虚拟字线所构成,其中虚拟字线是耦接一正偏压。存储单元及虚拟胞是与一位线耦接,且是分别与一字线及一虚拟字线耦接。至少在抹除操作期间,将虚拟字线耦接至一正偏压,以防止虚拟胞在虚拟字线接地时被过度抹除。
申请公布号 CN1474455B 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN03122282.X 申请日期 2003.04.24
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 黄俊仁;周铭宏;陈幸谦
分类号 H01L27/10(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;G11C11/34(2006.01)I 主分类号 H01L27/10(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王学强
主权项 一种半导体存储组件,包括:一存储单元;一虚拟字线,其是与该存储单元耦接;一逻辑控制电路,是用以在进行抹除时提供一正偏压给该虚拟字线;以及至少一位线,其是与该存储单元耦接。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号