| 发明名称 | 用于快闪存储装置中保护字线的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明呈现用于保护在制造期间来自工艺相关的充电的快闪存储字线(WL)及存储单元(101)的方法(10)及结构。未掺杂的多晶硅(110b)形成在掺杂的多晶硅字线(110a)的末端以产生电阻器(110b)，透过该电阻器(110b)工艺电荷为放电至与衬底(102)连接的掺杂的多晶硅放电结构(110c)。该字线(110a)、电阻器(110b)及该放电的结构(110c)可以形成为单一摹制的多晶硅结构，其中该字线(110a)及放电结构(110c)为选择性地掺杂成为具传导性并且该电阻器部分(110b)为实质上未掺杂的以提供足够高的电阻以允许在制造之后的正常的单元单元运作，同时提供在制造期间用于工艺相关的充电的放电路径。 | ||
| 申请公布号 | CN1954432B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN200580014381.8 | 申请日期 | 2005.02.11 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | M·W·伦道夫 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种用于保护在快闪存储阵列中的字线结构的字线保护装置，包括：与字线结构(110a)的一侧连接的多晶硅电阻器结构(110b)；连接于该多晶硅电阻器结构(110b)的一侧的多晶硅放电结构(110c)；以及延伸于该多晶硅放电结构(110c)及该衬底(102)之间的栅极绝缘层(104)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||