| 发明名称 | 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供适合于半导体器件用的层间绝缘膜材料的利用化学气相沉积法形成的绝缘膜用材料，由这些材料形成的绝缘膜和使用了该绝缘膜的半导体器件。一种绝缘膜用材料，其特征在于，含有下述通式(2)或通式(4)的任一个有机硅化合物，绝缘膜是利用该有机硅化合物的化学气相沉积法形成的，下述通式(2)表示的具有仲烃基与硅原子直接连接结构的有机硅氧烷化合物，<img file="b2007101849631a00011.GIF" wi="615" he="351" />式中，R<sup>1</sup>，R<sup>2</sup>同上述，R<sup>5</sup>表示碳数为1～20的烃基或氢原子，x表示大于等于2的整数，下述通式(4)表示的具有乙烯基与硅原子直接连接结构的有机硅氧烷化合物，<img file="b2007101849631a00012.GIF" wi="621" he="315" />式中，R<sup>7</sup>表示碳数为1～20的烷基、链烯基、芳基的任何一个，x同上述。 | ||
| 申请公布号 | CN101442003B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN200710184963.1 | 申请日期 | 2003.11.28 |
| 申请人 | 东曹株式会社 | 发明人 | 原大治;吉田圭介 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C07F7/18(2006.01)I;C07F7/21(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜用材料，其特征在于，含有下述通式(2)或通式(4)的任一个有机硅化合物，绝缘膜是利用该有机硅化合物的化学气相沉积法形成的，下述通式(2)表示的具有仲烃基与硅原子直接连接结构的有机硅氧烷化合物，<img file="FSB00000907334000011.GIF" wi="1242" he="302" />式中，R<sup>1</sup>，R<sup>2</sup>表示碳数为1～20的烃基，R<sup>5</sup>表示碳数为1～20的烃基或氢原子，x表示大于等于2的整数，下述通式(4)表示的具有乙烯基与硅原子直接连接结构的有机硅氧烷化合物，<img file="FSB00000907334000012.GIF" wi="1283" he="286" />式中，R<sup>7</sup>表示碳数为1～20的烷基、链烯基、芳基的任何一个，x同上述。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||