半导体芯片以及制造半导体芯片的方法

摘要

本发明涉及一种具有承载体(3)和半导体基体(2)的半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有半导体层序列，所述半导体层序列具有被设置用于发射辐射的有源区(21)，其中，所述承载体具有向着所述半导体基体(2)的第一承载面(31)和背离所述半导体基体(2)的第二承载面(32)；通过连接层(4)将所述半导体基体(2)以材料配合的方式固定在所述承载体(3)；并且在所述第二承载面(32)和所述有源区(21)之间形成有多个反射或者散射的元件(40、7)。此外，本发明还给出了一种制造半导体芯片的方法。

主权项

具有承载体(3)和半导体基体(2)的半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有半导体层序列，所述半导体层序列具有被设置用于生成辐射的有源区(21)，其中，所述承载体(3)具有向着所述半导体基体(2)的第一承载面(31)和背离所述半导体基体(2)的第二承载面(32)；所述半导体基体(2)借助连接层(4)以材料配合的方式被固定在所述承载体(3)上；在所述第二承载面(32)和所述有源区(21)之间构造有多个反射或者散射的元件(40、7)，所述多个反射或者散射的元件借助至少在局部具有表面结构的界面(7)构成，所述界面(7)的所述表面结构是借助形成有结构的表面(8)形成的，和所述形成有结构的表面(8)具有结构元件(80)，并且被构造用于光子光栅，其中周期长度处于在有源区(21)中生成的辐射在与具有表面结构的界面(7)相邻接的、有源区一方的介质内的峰值波长的0.5倍至5倍的闭区间，其中在所述周期长度之后，一系列结构元件(80)再次重现。