发明名称 |
平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于显示平板显示设备的底板、一种包括该底板的平板显示设备及一种制造该底板的方法。该底板包括:基底;像素电极,位于基底上,并包括透明导电材料;电容器第一电极,与像素电极形成在同一层;第一保护层,覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极;薄膜晶体管(TFT)的栅电极,形成在第一保护层上;电容器第二电极,与栅电极形成在同一层;第一绝缘层,覆盖栅电极和电容器第二电极;半导体层,形成在第一绝缘层上并包括透明导电材料;第二绝缘层,覆盖半导体层;TFT的源电极和漏电极,形成在第二绝缘层上;以及第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极并暴露像素电极。 |
申请公布号 |
CN102842582A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210158797.9 |
申请日期 |
2012.05.21 |
申请人 |
三星显示有限公司 |
发明人 |
郑棕翰;崔千基 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
刘灿强 |
主权项 |
一种用于平板显示设备的底板,所述底板包括:基底;像素电极,位于基底上,并包括透明导电材料;电容器第一电极,与像素电极形成在同一层;第一保护层,覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极;薄膜晶体管的栅电极,形成在第一保护层上;电容器第二电极,与栅电极形成在同一层;第一绝缘层,覆盖栅电极和电容器第二电极;半导体层,形成在第一绝缘层上并包括透明导电材料;第二绝缘层,覆盖半导体层;薄膜晶体管的源电极和漏电极,形成在第二绝缘层上,其中,源电极和漏电极穿过第二绝缘层连接到半导体层,源电极和漏电极中的至少一个连接到像素电极;以及第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极,并暴露像素电极。 |
地址 |
韩国京畿道龙仁市 |