| 发明名称 | 相变随机存取存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种相变随机存取存储(PCRAM)器件及其制造方法。所述PCRAM器件包括：半导体衬底；结字线，所述结字线被形成在所述半导体衬底上；外延字线，所述外延字线被形成在所述结字线上；以及开关器件，所述开关器件被形成在所述外延字线上。 | ||
| 申请公布号 | CN102842673A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201210185827.5 | 申请日期 | 2012.06.07 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李章旭 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;郭放 |
| 主权项 | 一种相变随机存取存储器件即PCRAM器件，包括：半导体衬底；结字线，所述结字线被形成在所述半导体衬底上；外延字线，所述外延字线被形成在所述结字线上；以及开关器件，所述开关器件被形成在所述外延字线上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||