IGBT芯片及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极电阻，该补偿电阻的大小可根据IGBT芯片的需求进行调整，以避免IGBT模块电路中的自激振荡。由于该补偿电阻区位于栅极焊盘下方，不会占用IGBT芯片内部的面积、体积，并且该补偿电阻区是在IGBT芯片生产过程中集成在芯片内部的，在IGBT芯片生产时只需增加补偿电阻区的形成过程即可，因此该IGBT芯片的制作方法工艺简单易行，并未增加电路的设计成本。

主权项

一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，其特征在于，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。