硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法

摘要

本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。

主权项

一种硅基纳米阵列图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1）提供一硅衬底，将该硅衬底放入预定浓度的AgNO3和HF混合溶液中进行化学催化腐蚀形成具有硅纳米点阵列的硅衬底；2）将所述步骤1）形成的结构放入浓硝酸溶液中一定时间以去除附着在该纳米点阵上的银颗粒；3)利用热氧化工艺对所述硅纳米阵列以及硅纳米阵列所在的硅衬底表面进行氧化，以形成氧化硅纳米阵列、或者被氧化硅层包裹的硅纳米阵列；4）将所述步骤3）中形成结构放入HF溶液中一定时间对热氧化生成的氧化硅进行腐蚀，以形成硅基纳米阵列图形化衬底。