| 发明名称 | 半导体二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。本发明所提出的半导体二极管可降低半导体二极管的重掺杂区的接触电阻，进而有效的减少半导体二极管的功率损失。 | ||
| 申请公布号 | CN102842621A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110336807.9 | 申请日期 | 2011.10.31 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 杨明宗;李东兴 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 于淼;张一军 |
| 主权项 | 一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||