适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺

摘要

本发明的各实施例用于改进的接触掺杂和退火系统以及工艺。在各实施例中，等离子体离子浸没式注入(PIII)可用于对基于纳米线和其它纳米元件的薄膜器件进行掺杂。根据本发明的其它实施例，可使用脉冲激光退火(所用激光能流相对较低，低于100mJ/cm2，例如小于约50mJ/cm2，例如，介于2-18mJ/cm2之间)对基板(比如低温柔性基板，例如塑料基板)上的基于纳米线和其它纳米元件的器件进行退火。

主权项

一种使样品上的至少一根纳米线退火的方法，该方法包括：用激光通量2‑100mJ/cm2的激光器，来照射所述样品上的至少一根纳米线的多个部分。