掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括一重掺杂磷的硅衬底；一位于所述衬底上的隔离层，该隔离层用扩散系数小于硅衬底中磷的扩散系数的掺杂剂原子掺杂；一位于所述衬底上的外延层；以及一位于所述衬底上的器件层，且位于所述外延层及隔离层上。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：n型导电型(conductivity type)的第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区从第一硅外延层的上表面向下延伸进入所述第一硅外延层；位于所述第一源区和所述第二源区之间、衬有栅极电介质并填充有栅极导电材料的沟槽；p型导电型的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区与所述第一源区和所述第二源区连接并分别向下延伸以远离所述第一源区和所述第二源区，并被栅极沟槽分离；n型导电型的漏极区，所述漏极区与所述第一阱区和所述第二阱区连接并向下延伸以远离所述第一阱区和所述第二阱区，其中，所述栅极沟槽，所述第一阱区，所述第二阱区和所述漏极区定位在所述第一硅外延层上；n型导电型的隔离层，所述隔离层与所述漏极区连接并向下延伸以远离所述漏极区，所述隔离层定位在所述第二硅外延层上；n型导电型的硅衬底，所述硅衬底与所述隔离层和所述第二硅外延层连接；其中，所述衬底中具有5E18个磷原子/cm3或更高的掺杂浓度，所述隔离层用掺杂剂掺杂，所述隔离层中具有2E14‑20E17个磷原子/cm3的掺杂浓度，所述掺杂剂的扩散系数小于硅中磷的扩散系数，所述漏极区的掺杂浓度在1E14‑1E17个磷原子/cm3之间。