发明名称 |
用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板 |
摘要 |
本发明提供了用于在可重复使用的半导体模板的两面制造TFSS的制造方法和设备,从而有效地提高衬底的产量并降低其制造成本。对于给定的模板重复使用循环次数,这种方法可将每一个制造出的衬底(TFSS)所分摊的起始模板成本降低一半。 |
申请公布号 |
CN102844883A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201180018589.2 |
申请日期 |
2011.02.12 |
申请人 |
速力斯公司 |
发明人 |
M·M·穆斯利赫;K·J·克拉默;D·X·王;P·卡普尔;S·纳格;G·卡米安;J·亚西伊;T·米原隆夫 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
代理人 |
谭志强 |
主权项 |
一种用于制造一对单晶薄膜硅衬底的方法,所述方法包括:提供单晶硅晶片;用具有六角形图案的阻挡层将所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面图案化;蚀刻所述单晶硅晶片,从而在所述第一表面和所述第二表面上制作一组结构性表面形貌特征,所述结构性表面形貌特征包括多个独立的六角形支柱;将所述阻挡层从所述单晶硅晶片上除去;和清洗所述单晶硅晶片的第一表面和第二表面,所述单晶硅晶片包括双面可重复使用的模板;通过阳极蚀刻工艺在所述双面可重复使用的模板的第一表面上制作第一多孔硅层,在其第二表面上制作第二多孔硅层,所述多孔硅层具有与所述双面可重复使用的模板一致的结晶性;在所述第一多孔硅层上外延沉积第一单晶薄膜硅衬底,在所述第二多孔硅层上外延沉积第二单晶薄膜硅衬底,所述单晶薄膜硅衬底具有与所述多孔硅层一致的结晶性;将所述第一和第二单晶薄膜硅衬底从所述第一和第二多孔硅层分离。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |