发明名称 |
一种半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体装置,包括一基板,所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极,其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层,金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧,非晶硅层位于与源极和漏极之间,多晶硅层位于源极和漏极下方且与非晶硅层的两侧接触。本发明还公开了该半导体装置的制造方法。本发明能降低设备投资,缩短生产周期,保证氧化物半导体层的结构不受到破坏,避免源极和漏极的金属成分渗入氧化物半导体层。 |
申请公布号 |
CN102842619A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210322385.4 |
申请日期 |
2012.09.03 |
申请人 |
南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
发明人 |
马群刚 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
夏雪 |
主权项 |
一种半导体装置,包括一基板,所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极,其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层,金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧,非晶硅层位于与源极和漏极之间,多晶硅层位于源极和漏极下方且与非晶硅层的两侧接触。 |
地址 |
210033 江苏省南京市仙林大道科技南路南京液晶谷 |