发明名称 |
一种三层结构的掺钼TiO<sub>2</sub>光催化薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜及其制备方法。三层结构中,底层为高浓度掺钼TiO2薄膜,中间为低浓度掺钼TiO2薄膜,顶层为纯TiO2薄膜;本发明利用多靶射频磁控共溅射技术原位制备三层结构的钼掺杂TiO2薄膜,制膜过程在真空室中一次完成,方法简便高效,适合大面积的工业化生产。本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级,利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场,实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离,最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜。 |
申请公布号 |
CN102836704A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210350730.5 |
申请日期 |
2012.09.20 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
沈杰;罗胜耘;颜秉熙 |
分类号 |
B01J23/28(2006.01)I;B01J35/02(2006.01)I;B01J37/34(2006.01)I |
主分类号 |
B01J23/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜,其特征在于:底层为高浓度掺钼TiO2薄膜,中间层为低浓度掺钼TiO2薄膜,顶层为纯TiO2薄膜;其中,所谓高浓度掺钼TiO2薄膜,是指薄膜中Mo/Ti原子比为3%~10%;所谓低浓度掺钼TiO2薄膜,是指薄膜中Mo/Ti原子比为0.5%~3%。 |
地址 |
200433 上海市杨浦区邯郸路220号 |