发明名称 一种三层结构的掺钼TiO<sub>2</sub>光催化薄膜及其制备方法
摘要 本发明属于光催化薄膜技术领域,具体为一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜及其制备方法。三层结构中,底层为高浓度掺钼TiO2薄膜,中间为低浓度掺钼TiO2薄膜,顶层为纯TiO2薄膜;本发明利用多靶射频磁控共溅射技术原位制备三层结构的钼掺杂TiO2薄膜,制膜过程在真空室中一次完成,方法简便高效,适合大面积的工业化生产。本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级,利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场,实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离,最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜。
申请公布号 CN102836704A 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN201210350730.5 申请日期 2012.09.20
申请人 复旦大学 发明人 沈杰;罗胜耘;颜秉熙
分类号 B01J23/28(2006.01)I;B01J35/02(2006.01)I;B01J37/34(2006.01)I 主分类号 B01J23/28(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项 一种三层结构的掺钼TiO2光催化薄膜,其特征在于:底层为高浓度掺钼TiO2薄膜,中间层为低浓度掺钼TiO2薄膜,顶层为纯TiO2薄膜;其中,所谓高浓度掺钼TiO2薄膜,是指薄膜中Mo/Ti原子比为3%~10%;所谓低浓度掺钼TiO2薄膜,是指薄膜中Mo/Ti原子比为0.5%~3%。
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号