发明名称 |
厚膜材料电子元器件及制备方法 |
摘要 |
厚膜材料电子元器件,属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括带有凹槽的衬底、阻挡层、底电极、热释电材料和上电极,在上电极和底电极之间,设置有隔离层,上电极跨越隔离层和隔离层下方的底电极,连接到热释电材料。本发明可以有效防止电极间的短路,使热释电厚膜探测器获得良好的性能,且提高了探测器的成品率。 |
申请公布号 |
CN102842530A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210290315.5 |
申请日期 |
2012.08.15 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
吴传贵;陈冲;彭强祥;曹家强;罗文博;帅垚;张万里;王小川 |
分类号 |
H01L21/70(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/70(2006.01)I |
代理机构 |
成都惠迪专利事务所 51215 |
代理人 |
刘勋 |
主权项 |
厚膜材料电子元器件,包括带有凹槽的衬底[101]、阻挡层[102]、底电极[103]、热释电材料[104]和上电极[106],其特征在于,在上电极[106]和底电极[103]之间,设置有隔离层[105],上电极跨越隔离层[105]和隔离层[105]下方的底电极,连接到热释电材料[104]。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |