发明名称 光伏器件及其制造方法
摘要 一种光伏器件使用与单晶半导体基板或多晶半导体基板分离的单晶或多晶半导体层作为光电转换层,并且具有SOI结构,在该结构中,半导体层与具有绝缘表面的基板或绝缘基板接合。单晶半导体层是单晶半导体基板的分离的表面层部分并被转移,该单晶半导体层被用作光电转换层,且包含在光入射表面或者相背表面加入了氢或卤素的杂质半导体层。将该半导体层固定于具有绝缘表面的基板或绝缘基板。
申请公布号 CN101657907B 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN200880011759.2 申请日期 2008.03.17
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;荒井康行
分类号 H01L31/04(2006.01)I 主分类号 H01L31/04(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 项丹;周承泽
主权项 一种光伏器件,包括:具有第一绝缘表面的基板;具有第二绝缘表面的绝缘层,其中,第二绝缘表面形成为与第一绝缘表面密切接触;形成在绝缘层上的第一电极;形成在第一电极上的单晶半导体层,其中所述单晶半导体层包含氢和卤素;和形成在单晶半导体层上的第二电极,其中,单晶半导体层包含:包含第一杂质的第一杂质层;形成在第一杂质层和第二电极之间的第二杂质层,其包含第二杂质,其中,第一杂质的第一导电类型不同于第二杂质的第二导电类型,其中,第二杂质层包含:第一区域;和形成在第一区域和第二电极之间的第二区域,其中,卤素在第二区域中的浓度大于在第一区域的浓度,和其中,第二绝缘表面能形成亲水表面。
地址 日本神奈川县