| 发明名称 | 残渣除去液的使用 | ||
| 摘要 | 本发明是残渣除去液的使用，提供一种选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种化合物在除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣时用于保护Cu表面的使用，其中，(1)是含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下；(2)是含有具有式：-N＝C(SH)-X-(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下；(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102839062A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201210345066.5 | 申请日期 | 2008.08.21 |
| 申请人 | 大金工业株式会社 | 发明人 | 中村新吾;毛塚健彦 |
| 分类号 | C11D7/32(2006.01)I;C11D7/34(2006.01)I;C11D11/00(2006.01)I | 主分类号 | C11D7/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种化合物在除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣时用于保护Cu表面的使用，(1)是含有具有式：＝N‑NH‑所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(2)是含有具有式：‑N＝C(SH)‑X‑(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||