一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种能够快速有效的在单晶硅扩散工艺中吸杂的方法。该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850℃左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。本发明解决了现有技术的不足，能够有效去除单晶硅电池因不同厂家工艺生产的单晶硅片中铁沾污，提高单晶硅电池的少子寿命，开路电压、短路电流、填充因子，从而提高单晶硅电池的整体效率和产品的价值。

主权项

一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法，该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其特征在于：具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850℃左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。