发明名称 |
阵列基板及其制作方法、显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板制作方法,涉及显示技术领域,包括:S1、在绝缘透明的基板上形成包括像素电极、电容电极和有源层的图形;S2、在步骤S1的基板上形成第一绝缘层、栅极、栅线和公共电极的图形,公共电极与电容电极形成存储电容;S3、在步骤S2的基板上形成第二绝缘层,在源漏区域及像素电极区域形成穿过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔,并保留在形成第二绝缘层上除源漏区域及数据线区域外的光刻胶;S4、在步骤S3的基板上沉积SD金属,通过光刻胶剥离的方式形成源极、漏极及数据线;S5、在步骤S4的基板上形成钝化层图形。还公开了一种阵列基板和显示装置,本发明的方法减少了阵列基板制作工艺中ma sk的次数,提高了生产效率,降低了生产成本。 |
申请公布号 |
CN102842587A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210359670.3 |
申请日期 |
2012.09.24 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
张方振 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G09F9/35(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种阵列基板,包括若干栅线、数据线、像素电极、第三绝缘层、有源层,第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极和漏极,其特征在于,还包括:在源极、漏极区域中穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔、穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第二过孔,及在像素电极区域连接所述漏极和像素电极的第三过孔,所述源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔连接所述有源层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |