| 发明名称 | MOSFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括，SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；源区和漏区，所述源区和漏区嵌于所述半导体层中且位于所述栅堆叠两侧；沟道区，嵌于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；其中，所述MOSFET还包括背栅和补偿注入区，所述背栅嵌于所述半导体衬底中，所述补偿注入区位于所述沟道区下方且嵌于所述背栅中，所述背栅的掺杂类型与所述补偿注入区的掺杂类型相反。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节。 | ||
| 申请公布号 | CN102842617A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110170497.8 | 申请日期 | 2011.06.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种MOSFET，包括，SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；源区和漏区，所述源区和漏区嵌于所述半导体层中且位于所述栅堆叠两侧；沟道区，嵌于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；其中，所述MOSFET还包括：背栅和补偿注入区，所述背栅嵌于所述半导体衬底中，所述补偿注入区位于所述沟道区下方且嵌于所述背栅中，所述背栅的掺杂类型与所述补偿注入区的掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||