| 发明名称 | 具有穿通访问的垂直非易失性开关及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于访问非易失性存储器单元的半导体器件。在一些实施例中，半导体器件具有包括源极、漏极和阱的半导体层的垂直叠层。向半导体器件施加漏极-源极偏置电压产生跨阱的穿通机制以在源极和漏极之间发起电流流动。 | ||
| 申请公布号 | CN102844865A | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201080032403.4 | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | M·霍利;H-K·李;P·马诺斯;C·郑;Y·P·金 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;G11C11/404(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 一种包含半导体层的垂直叠层的半导体器件，所述垂直叠层包括源极、漏极和阱，其中漏极‑源极偏置电压的施加产生横跨所述阱的穿通机制以在所述源极和所述漏极之间引发电流流动。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||