用于集成器件的衬底级组件、其制造工艺及相关集成器件

摘要

在衬底级组件(22)中，半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1；16)，从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a，28b)将集成器件(1；16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中，该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′，10)；并且在所述其他集成器件(1′，10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。

主权项

一种衬底级组件(22)，其特征在于包括：‑半导体材料的器件衬底(20)，其具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，所述第一集成器件(1；16)具备形成于所述器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)并且在所述顶面(20a)附近具备有效面积(4)；‑帽盖衬底(21)，其在所述顶面(20a)上方耦合到所述器件衬底(20)以便覆盖所述第一集成器件(1；16)，所述耦合使得在对应于所述有效面积(4)的位置提供第一空白空间(25)；以及‑电接触元件(28a，28b)，其用于将所述第一集成器件(1；16)与所述衬底级组件(22)外部电连接，其中在所述帽盖衬底(21)之内提供第一进出通道(26)，所述第一进出通道(26)流体连接到所述第一空白空间(25)和所述衬底级组件(22)外部，其中所述衬底级组件(22)由封装(40)包封并机械保护，其中所述封装(40)包括机械支撑所述衬底级组件(22)的基底主体(42)和被构造成横向涂布所述衬底级组件(22)的涂层区域(44)，其中第一进出通道(26)保持暴露于所述封装(40)之外。