制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法。提供如下技术，在该技术中通过使用浸渍曝光方法来防止衬底的主表面之上形成的转移图案中的形状缺陷，由此允许提高半导体器件的制造产量。当向抗蚀剂上辐射曝光光时，浸渍水保持于在投影光学系统的光学元件和管嘴部分的每个下表面与抗蚀剂之间的第一浸渍区域中；并且当调节聚焦、光学系统对准等时，浸渍水保持于在投影光学系统的光学元件和管嘴部分的每个下表面与测量台的上表面之间的第二浸渍区域中。使保持于第一浸渍区域中的浸渍水的横向扩展小于保持于第二浸渍区域中的浸渍水的横向扩展。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在衬底的主表面上涂覆抗蚀剂；(b)通过经由投影光学系统和浸渍水向所述抗蚀剂上辐射曝光光，向所述抗蚀剂上转移掩模的图案图像；以及(c)在上述(b)步骤之后，在所述抗蚀剂上执行显影工艺以在所述衬底的所述主表面之上形成抗蚀剂图案，其中所述(b)步骤包括以下步骤：(b‑1)当向所述抗蚀剂上辐射曝光光时，在用于支撑所述衬底的第一台位于所述投影光学系统和用于供应和恢复所述浸渍水的管嘴部分之下的状态中，在所述抗蚀剂与所述投影光学系统的光学元件的下表面和所述管嘴部分的下表面中的每个下表面之间的第一浸渍区域中保持所述浸渍水；以及(b‑2)当未向所述抗蚀剂上辐射曝光光时，在与所述第一台不同的第二台位于所述投影光学系统和所述管嘴部分之下的状态中，在所述投影光学系统的光学元件的下表面和所述管嘴部分的下表面中的每个下表面与所述第二台的上表面之间的第二浸渍区域中保持所述浸渍水，并且其中在所述(b‑1)步骤中保持于所述第一浸渍区域中的所述浸渍水的横向扩展小于在所述(b‑2)步骤中保持于所述第二浸渍区域中的所述浸渍水的横向扩展。