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摘要 A memory device, such as a PCRAM, including a chalcogenide glass backbone material with germanium telluride glass and methods of forming such a memory device.
申请公布号 JP5107037(B2) 申请公布日期 2012.12.26
申请号 JP20070522567 申请日期 2005.07.14
申请人 发明人
分类号 H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
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