发明名称 LED芯片的结构
摘要 本实用新型提供了一种LED芯片的结构,包括由下至上依次叠置的衬底、N型氮化镓层、量子阱、P型氮化镓层、第一电流阻挡层和透明导电层,N型氮化镓层、量子阱和P型氮化镓层的部分蚀刻去除并形成第一侧壁,还包括第二电流阻挡层,第二电流阻挡层覆盖第一侧壁表面。本实用新型提供的LED芯片中设置的第二电流阻挡层能在生产过程中,保护LED芯片的PN结,避免杂质沾染其上,进而减少LED芯片的漏电问题。
申请公布号 CN202633366U 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN201220215285.7 申请日期 2012.05.14
申请人 湘能华磊光电股份有限公司 发明人 姚禹
分类号 H01L33/14(2010.01)I 主分类号 H01L33/14(2010.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 吴贵明
主权项 一种LED芯片的结构,包括由下至上依次叠置的衬底(11)、N型氮化镓层(12)、量子阱(13)、P型氮化镓层(14)、第一电流阻挡层(21)和透明导电层(15),所述N型氮化镓层(12)、量子阱(13)和P型氮化镓层(14)的一侧蚀刻去除并形成第一侧壁(23),其特征在于,还包括第二电流阻挡层(22),所述第二电流阻挡层(22)覆盖所述第一侧壁(23)表面。
地址 423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园区