| 发明名称 | 等离子体损伤程度的检测方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体损伤程度的检测方法，包括：提供一批芯片；提供所述一批芯片阈值电压漂移量的上限值；测试所述一批芯片的漏电流，获得所述漏电流分布；从所述一批芯片中抽取部分芯片，测试所述部分芯片的阈值电压，获得阈值电压漂移量及其分布；根据所述阈值电压漂移量和所述上限值，确定所述部分芯片的合格率；应用所述部分芯片合格率于所述一批芯片，建立所述一批芯片的漏电流标准值；根据所述一批芯片的漏电流标准值，检测所述一批芯片的等离子体损伤程度。本发明方法可以降低检测成本，提高检测效率，实现在线检测，同时不会对芯片造成损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN102044458B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN200910196932.7 | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 赵永;江顺旺;郭强;简维廷 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I;G01R19/165(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种等离子体损伤程度的检测方法，包括：提供一批芯片；提供所述一批芯片阈值电压漂移量的上限值；测试所述一批芯片的漏电流，获得所述漏电流分布；从所述一批芯片中抽取部分芯片，测试所述部分芯片的阈值电压，获得阈值电压漂移量及其分布；根据所述阈值电压漂移量和所述上限值，确定所述部分芯片的合格率；应用所述部分芯片合格率于所述一批芯片，建立所述一批芯片的漏电流标准值；根据所述一批芯片的漏电流标准值，检测所述一批芯片的等离子体损伤程度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||