发明名称 |
通过使用氮化铝增加微结构中的铜基金属化结构的可靠性 |
摘要 |
通过以自限制程顺序来形成氮化铝层(106),可显著增强铜基金属化层的界面特性同时仍然保持层堆栈(layer stack)的总介电系数(permittivity)于较低位准。 |
申请公布号 |
CN101681873B |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN200880005905.0 |
申请日期 |
2008.01.31 |
申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
C·施特雷克;V·克勒特 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟 |
主权项 |
一种增加铜基金属化结构的可靠性的方法,包括:在形成于介电层的金属区的暴露表面上形成含氮层;暴露该含氮层于基于含铝气体所建立的环境,以在该金属区上形成含铝及氮的第一阻挡层;以及在该第一阻挡层上形成第二介电阻挡层以及在该第二介电阻挡层之上形成低k介电材料;其中,该金属区包括铜,且其中,形成该含氮层是在没有电浆的情形下基于与氦结合的含氮气体来进行,并且包括:处理该暴露表面以使氧化铜转换成氮化铜,且其中,处理该暴露表面包括:建立含氨环境。 |
地址 |
英属开曼群岛大开曼岛 |