发明名称 | 一种冶金法去除工业硅中杂质硼的方法 | ||
摘要 | 本发明属于冶金法提纯工业硅的技术领域。一种利用冶金法去除工业硅中杂质硼的方法,先熔化工业硅,向工业硅熔体中添加少量的金属,熔炼后得到改性硅熔体,将改性硅熔体冷却、破碎得到改性硅粉;然后将低硼二氧化硅和改性硅粉均匀混合、酸洗除杂、干燥、预成型,后进行真空熔炼-气相冷凝,得到高纯一氧化硅;最后进行一氧化硅的歧化熔炼,冷却、分离后得到高纯硅和二氧化硅,并将得到的二氧化硅返回利用。该发明方法能有效去除工业硅中的杂质硼,从而满足太阳能电池用硅材料的使用要求,工艺简单,生产周期短,节能降耗,提纯效果好,技术稳定,生产效率高,环保效益高。 | ||
申请公布号 | CN102249243B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
申请号 | CN201110152162.3 | 申请日期 | 2011.06.08 |
申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 谭毅;李亚琼;李佳艳;武深瑞 |
分类号 | C01B33/039(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/039(2006.01)I |
代理机构 | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人 | 于忠晶 |
主权项 | 一种冶金法去除工业硅中杂质硼的方法,其特征在于: 首先,熔化工业硅,向工业硅熔体中添加不高于工业硅熔体重量5%的金属,所述金属为铝、钛、铜、铁、锆、锡中的一种或几种,熔炼后得到改性硅熔体,将改性硅熔体冷却、破碎得到改性硅粉;然后将低硼二氧化硅和改性硅粉均匀混合、酸洗除杂、干燥、预成型,此后进行真空熔炼‑气相冷凝,得到高纯一氧化硅;最后,进行一氧化硅的歧化熔炼,冷却、分离后得到高纯硅和二氧化硅,并将得到的二氧化硅返回用于合成一氧化硅。 | ||
地址 | 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号 |