一种太赫兹频段可调多带吸波体

摘要

本实用新型公开一种太赫兹频段可调多带吸波体，包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，其中每个吸波体单元均主要由含硅基体、金属层、介质体、金属叉和空心田字框组成。金属层的上下表面分别与介质体的下表面和含硅基体的上表面相贴。空心田字框水平贴附于介质体的上表面，金属叉则水平嵌设在介质体的中部，空心田字框所处平面与金属叉所处平面相平行。金属叉的几何中心与空心田字框的几何中心重合，而且构成金属叉的2条金属条的中心轴线与构成空心田字框的内部4条金属叉齿的中心轴线重合。本实用新型能够有效提高吸收峰数量，并可对各个吸收峰位置的精确调控。

主权项

一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，其中每个吸波体单元均主要由含硅基体(1)、金属层(2)、介质体(3)、金属十字叉(4)和空心田字框(5)组成；金属层(2)的上下表面分别与介质体(3)的下表面和含硅基体(1)的上表面相贴，其中介质体(3)位于金属层(2)的正上方、含硅基体(1)位于金属层(2)的正下方；空心田字框(5)水平贴附于介质体(3)的上表面，金属十字叉(4)则水平嵌设在介质体(3)的中部，空心田字框(5)所处平面与金属十字叉(4)所处平面相平行；金属十字叉(4)的几何中心与空心田字框(5)的几何中心重合，而且构成金属十字叉(4)的2条金属条(4‑1)的中心轴线与构成空心田字框(5)的内部4条金属叉齿(5‑1)的中心轴线重合。