发明名称 有源层掺杂PVP包覆NaYF<sub>4</sub>纳米颗粒的太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明具体涉及一种聚乙烯吡咯烷酮(PVP)包覆的NaYF4纳米颗粒对有源层进行掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法。首先采用溶剂热法制备PVP包覆的NaYF4纳米晶体颗粒,然后采用溶胶凝胶法在导电玻璃上生长作为电子传输层的TiO2纳米晶体薄膜,采用溶液旋涂方法在TiO2纳米晶体薄膜上制备PVP包覆的NaYF4纳米颗粒掺杂的P3HT:PCBM有源层共混薄膜,采用真空蒸镀法在有源层上制备作为空穴传输层的WO3薄膜,采用真空蒸镀法在WO3薄膜上制备作为顶电极的金属薄膜。本发明制备聚合物太阳能电池具有制备方法简单,成本低廉,可大面积成膜的特点,对聚合物太阳能电池器件的开路电压有明显的提升作用。
申请公布号 CN102842677A 申请公布日期 2012.12.26
申请号 CN201210319233.9 申请日期 2012.08.31
申请人 吉林大学;无锡海达安全玻璃有限公司 发明人 阮圣平;孟凡旭;沈亮;郭文滨;刘彩霞;董玮;张歆东;陈维友;陆斌武
分类号 H01L51/46(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/46(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 张景林;刘喜生
主权项 一种有源层掺杂PVP包覆NaYF4纳米颗粒的太阳能电池,从光入射方向依次为导电玻璃衬底、作为电子传输层的TiO2纳米晶体薄膜、P3HT:PCBM有源层共混薄膜、作为空穴传输层的WO3薄膜、作为顶电极的金属薄膜,其特征在于:在P3HT:PCBM有源层共混薄膜中掺杂有PVP包覆的NaYF4纳米颗粒,P3HT:PCBM:PVP包覆的NaYF4纳米颗粒的质量比为1:1:0.4~1。
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