发明名称 |
有源层掺杂PVP包覆NaYF<sub>4</sub>纳米颗粒的太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明具体涉及一种聚乙烯吡咯烷酮(PVP)包覆的NaYF4纳米颗粒对有源层进行掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法。首先采用溶剂热法制备PVP包覆的NaYF4纳米晶体颗粒,然后采用溶胶凝胶法在导电玻璃上生长作为电子传输层的TiO2纳米晶体薄膜,采用溶液旋涂方法在TiO2纳米晶体薄膜上制备PVP包覆的NaYF4纳米颗粒掺杂的P3HT:PCBM有源层共混薄膜,采用真空蒸镀法在有源层上制备作为空穴传输层的WO3薄膜,采用真空蒸镀法在WO3薄膜上制备作为顶电极的金属薄膜。本发明制备聚合物太阳能电池具有制备方法简单,成本低廉,可大面积成膜的特点,对聚合物太阳能电池器件的开路电压有明显的提升作用。 |
申请公布号 |
CN102842677A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201210319233.9 |
申请日期 |
2012.08.31 |
申请人 |
吉林大学;无锡海达安全玻璃有限公司 |
发明人 |
阮圣平;孟凡旭;沈亮;郭文滨;刘彩霞;董玮;张歆东;陈维友;陆斌武 |
分类号 |
H01L51/46(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/46(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
张景林;刘喜生 |
主权项 |
一种有源层掺杂PVP包覆NaYF4纳米颗粒的太阳能电池,从光入射方向依次为导电玻璃衬底、作为电子传输层的TiO2纳米晶体薄膜、P3HT:PCBM有源层共混薄膜、作为空穴传输层的WO3薄膜、作为顶电极的金属薄膜,其特征在于:在P3HT:PCBM有源层共混薄膜中掺杂有PVP包覆的NaYF4纳米颗粒,P3HT:PCBM:PVP包覆的NaYF4纳米颗粒的质量比为1:1:0.4~1。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |