绝缘栅双极晶体管及制作方法

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，在其P阱中形成有沟槽或孔，在沟槽或孔的底部的形成有P+连接层，P+连接层位于发射区的底部；在沟槽或孔上部形成有发射极引线孔，发射极引线孔的宽度大于沟槽或孔的宽度，在沟槽或孔和发射极引线孔中填充有金属并引出发射极。本发明还公开了一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括：在形成栅和P阱后，在P阱上进行光刻和硅刻蚀形成沟槽或孔，在沟槽或孔底部进行硼离子注入、形成发射区，在沟槽或孔中填入金属以及形成金属电极的步骤。本发明能降低发射极和P阱间的寄生电阻、抑制擎柱效应。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管，包括：集电区，由形成于硅衬底底部的P型层组成，从所述硅衬底的背面引出集电极；漂移区，由依次形成于所述集电区上的第一N+层和第一N‑层组成，所述第一N+层的N型杂质浓度大于所述第一N‑层的N型杂质浓度；P阱，形成于所述第一N‑层中；发射区，由形成于所述P阱上部的第二N+层组成，所述P阱将所述发射区和所述漂移区隔开；栅极，覆盖部分所述P阱，被所述栅极覆盖的所述P阱为沟道区，所述沟道区连接所述P阱两侧的所述漂移区和所述发射区；其特征在于：在所述P阱中形成有沟槽或孔，在所述沟槽或孔的底部的所述P阱中形成有P+连接层，所述P+连接层位于所述发射区的底部；在所述沟槽或孔上部形成有发射极引线孔，所述发射极引线孔的宽度大于所述沟槽或孔的宽度，在所述沟槽或孔和所述发射极引线孔中填充有金属并引出发射极。