| 发明名称 | 超低介电常数的SiCOH薄膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种显示出提高的弹性模量和硬度的多相超低介电常数的薄膜，以及制造该薄膜的多种方法。这种超低介电常数的介电薄膜含有分别用(104)，(103)，(102)和(101)表示的硅原子，碳原子，氧原子和氢原子，所述薄膜具有约为2.4或以下的介电常数值，纳米级的小孔或者空穴，具有约为5或更大的弹性模量值，具有约为0.7或更大的硬度值。优选的薄膜含有硅原子，碳原子，氧原子和氢原子，且具有约为2.2或以下的介电常数值，具有纳米级的小孔或者空穴，具有约为3或更大的弹性模量值，和具有约为0.3或更大的硬度值。这些薄膜由作为“主”基体的第一相(100)和基本上由碳原子和氢原子构成的第二相(105)组成，其中“主”基体是由氢化的氧化硅碳(SiCOH)形成的无规网络。 | ||
| 申请公布号 | CN1787881B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN200480012920.X | 申请日期 | 2004.03.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | S·M·盖茨;A·格里尔 |
| 分类号 | B05D3/06(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;B23B5/14(2006.01)I;B23B5/18(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | B05D3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 一种制备多相超低介电常数薄膜的方法，包括以下步骤：将基片置于等离子体增强的化学气相沉积反应器中；使含有Si，C，O和H原子的第一前体气体流入反应器内；使包括主要含有C和H原子的有机分子的第二前体气体流入反应器内；使包括含有三个或四个Si‑O键的硅氧烷分子的第三前体气体流入反应器内；在基片上沉积介电常数为2.7或更小和基于总的第三前体流具有0.1‑10％的四面体Si‑O键的多相超低介电常数薄膜。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||